广东工业大学2026年06月至2026年08月政府采购意向

标的名称:高高真空多靶磁控溅射镀膜设备 标的数量:1 主要功能或目标:高真空多靶磁控溅射镀膜设备主要用于铁电氮化物薄膜、金属/铁电氮化物/金属电容结构、电极薄膜、界面层及多层器件的制备，是开展半导体器件、传感器等电极材料及薄膜材料和的关键核心设备。该设备能多靶材同时溅射实现多层膜及掺杂薄膜的可控制备，显著提升薄膜致密度、均匀性与附着力，为揭示薄膜生长机制、优化器件性能提供可靠的样品支撑。 需满足的要求:用于氮化物、金属/铁电氮化物/金属电容结构、电极、界面层及多层器件等制备。样品尺寸需覆盖约 10 mm2 蓝宝石小片、10 mm×10mm或25 mm×25mm ，以及最大4英寸Si/SiO？ 晶圆。薄膜厚度范围1nm–10μm，其中金属电极、粘附层、扩散阻挡层为1–500nm，AlN/AlScN功能层为几十nm至μm 级。沉积速率可调，覆盖 10-100nm/min。

标的名称:原子层沉积系统 标的数量:1 主要功能或目标:原子层沉积设备支持多种氧化物薄膜典型沉积以及上述材料的纳米叠层、掺杂层和界面调控层。它能广泛应用于柔性电子器件、微纳微机电系统（MEMS）传感器、锂离子电池电极表界面钝化、以及集成电路中高介电常数k介质层的制备，在材料科学与器件等多个交叉学科具有重要价值。 需满足的要求:用于HfO？、ZrO？、HZO等氧化物薄膜、界面层和钝化层沉积。样品尺寸10mm2蓝宝石小片、10mm×10mm或25mm×25mm实验片，6英寸Si/SiO？ 晶圆；厚度1nm–1μm，铁电/高k功能层通常为5–50 nm，界面层和钝化层为1–20nm，绝缘层为数百nm或1μm。沉积速率为？级，膜厚均匀性6 英寸晶圆优于±3%–±5%。基底加热温度室温至400℃，满足氧化物ALD沉积温度窗口。

标的名称:高功率脉冲磁控溅射电源 标的数量:1 主要功能或目标:高功率脉冲磁控溅射电源具备脉冲功率高、放电稳定、离子密度大、溅射效率高等核心技术优势，技术指标达到行业先进水平，可实现高精度、可控化薄膜沉积，适配多类靶材与复杂工况，满足高性能功能薄膜制备需求。 需满足的要求:能实现直流叠加脉冲放电，实现高离化薄膜快速沉积；采用高能脉冲放电提高离化率，提高薄膜致密度及结合力；电源参数能灵活调节，并能稳定工作。

标的名称:***网络分析仪 标的数量:1 主要功能或目标:设备聚焦于先进封装互连结构、刻蚀微纳器件及激光微细加工射频组件，重点开展高精度高频S参数测试，定量评估其插损、回损、隔离度及相位特性；同时，利用时域分析功能，精确定位封装内部互连结构的阻抗不连续点，提取关键寄生参数并修正仿真模型；在此基础上，系统评估射频前端模块的增益压缩、三阶交调及变频等非线性性能，全面支撑高频微纳射频组件的设计优化与综合性能评估。 需满足的要求:频率范围覆盖 10 MHz 至 50 GHz，标配四端口。系统动态范围 ≥105 dB，迹线噪声 ≤0.006 dB RMS，单点测量时间快于2.5 μs，确保高精度与高效率。支持全双端口、TRL等校准方式，内置时域分析功能，可定位阻抗不连续点。配置混频器变频测试、增益压缩二维扫描等功能选件，配备多模式测量软件并开放标准 SCPI 指令集，能够对接微纳探针台，实现射频组件的非线性与自动化测试评估。