zycgr220119022026年10至12月政府采购意向

A02110204 半导体器件参数测量仪

本次采购碳化硅静态特性曲线测试系统1台，用于开展碳化硅等宽禁带功率半导体器件的静态特性测试。需具备高精度、高电压、大电流的测试能力，能够实现器件电容特性、输出特性、转移特性等基础曲线的测试，并支持阈值电压、栅极电荷、导通电阻等性能参数提取。支持测试电压0-6.5kV，测试电流0-1500A。

A02110204 半导体器件参数测量仪

本次采购全温域动态参数测试系统1台，用于在-50℃至200℃宽温度范围内，开展高压大功率碳化硅器件的动态开关特性测试。系统需具备典型双脉冲测试功能，精确提取器件开关时间、开关损耗及反向恢复等动态参数，并支持SCSOA、RBSOA等安全工作区考核。支持测试电压0-6.5kV，测试电流0-2kA。

A02110204 半导体器件参数测量仪

本次采购碳化硅瞬态热特性分析系统1台，用于测量碳化硅器件的热阻及相关热特性参数。通过测量器件加热电流与检测电流切换过程中的温敏参数变化，精确提取结-壳热阻、结-环境热阻、瞬态热阻抗等热参数，并生成结构函数，实现对器件内部芯片、焊料层、衬板各层材料热阻及热容分布的定量解析。支持热阻测试范围0.01ºC/W-200ºC/W，结温分辨率0.01℃。

A02100610 电子可靠性试验设备

本次采购高温/低温反偏试验系统1台，用于模拟碳化硅器件在高温/低温、恒定反向偏置电压条件下的的反向耐压能力与长期可靠性。碳化硅高温栅氧加速应力老化试验系统1台，用于在高温环境下对碳化硅器件施加恒定栅极偏置电压，实现对器件栅极可靠性考核与寿命评估。碳化硅高压高温高湿反偏老化试验系统1台，用于考核碳化硅器件在高压、高温、高湿以及反向偏置电压复合极端环境下的长期可靠性。

A02100610 电子可靠性试验设备

本次采购碳化硅高温正偏试验系统1台，通过在高温及正向偏置条件下对碳化硅器件施加大电流应力，评估器件在长期正向导通工况下的可靠性。加电电流范围为0-2kA，温度范围室温-250℃，脉冲电流频率0.01Hz~0.2Hz，脉冲占空比＜0.5%，脉冲上升时间＜20μs。

A02100610 电子可靠性试验设备

本次采购碳化硅动态高温工作寿命测试系统1台，用于对碳化硅器件进行动态性能和模拟实际工况的可靠性评估。支持电压0-6.5kV、电流0-2kA可调，可选择开环、闭环控制策略，驱动电压-10至20V，响应时间＜100ms。

A02100610 电子可靠性试验设备

本次采购碳化硅动态栅偏试验系统1台，用于模拟碳化硅器件在实际工作中动态变化的栅极偏置工况。碳化硅动态反偏试验系统1台，用于考核碳化硅器件在重复高压脉冲应力下的动态耐压能力与长期可靠性。碳化硅动态高温高湿反偏试验系统1台，用于考核碳化硅器件在动态电压应力与温湿度耦合的多应力协同作用下的可靠性。

A02330300 电子工业生产设备

本次采购晶圆级缺陷测试仪1台，用于晶圆表面微纳颗粒及缺陷检测与分布统计。利用激光扫描样品的整个表面，通过不同频道的探测器所收集到的信号，快速将缺陷（包括微粒、划伤、坑点、水渍、痕迹残留等）进行分类，统计每一种缺陷的数量并且量测出相应的缺陷尺寸，给出整个表面的缺陷分布图以及检测报告。

A02330300 电子工业生产设备

本次采购高压碳化硅芯片自动光学检测机 1套，主要用于裸芯片表面、边缘及金属化区域的自动光学检测，识别崩边、裂纹、划伤、污染等微米级缺陷。检测分辨率1.0～5.0 μm，支持高像素工业相机和多角度结构光成像，满足高压碳化硅芯片封装前自动筛选与质量一致性控制需求。

A02330300 电子工业生产设备

本次采购热贴机1套，主要用于碳化硅芯片、铜片等互连构件的自动拾取、精密对位、加热贴装及预连接。对位精度±10～±15 μm，加热头最高工作温度大于 200 ℃，贴装压力0.1～250 N，兼容6英寸、8英寸晶圆及华夫盘、料带供料，满足高温互连前芯片位置及界面一致性控制需求。

A02100699 其他试验仪器及装置

本次采购高压衬板静动态分选机1套，主要用于DBC/AMB衬板及芯片互连后子单元的静动态参数、高压绝缘筛选。耐压能力不低于8 kV DC/3 kV AC，漏电流测量达到nA级，兼容最大约190 mm×190 mm衬板。

A02050909 金属焊接设备

本次采购铝带键合机1套，主要用于碳化硅芯片栅极（信号互连）和衬板之间的各类线径铝线超声键合。支持约5-15mil铝线，定位精度±2～±3 μm，满足高精度高可靠性低应力信号电路互连工艺开发需求。

A02330300 电子工业生产设备

本次采购聚酰亚胺涂覆系统1套，主要用于高压碳化硅模块芯片边缘、DBC/AMB衬板金属化边缘等高电场区域聚酰亚胺绝缘层的精密涂覆与高温固化。重复定位精度±5～±10 μm，涂覆层厚度为20～50μm，固化最高工作温度250 ℃，具备低残氧高温固化能力，满足2300 V～6500 V模块局部绝缘强化需求。

A02330300 电子工业生产设备

本次采购自动化清洗机1套，主要用于焊接、烧结及键合前后助焊剂残留、颗粒和金属表面氧化物的自动清洗与界面活化。具备清洗液浓度自动检测和补加功能，浓度控制偏差≤±1.0%，支持精密喷淋清洗及大尺寸衬板/组件处理，满足先进互连工艺对高洁净、高活性金属界面的要求。

A02050909 金属焊接设备

本次采购瞬态液相扩散焊接炉1套，主要用于碳化硅芯片与DBC/AMB衬板、铜片等结构的高温高可靠瞬态液相扩散及银、铜烧结。动态压力调节范围1～2000 kN，工艺压力1～30 MPa，加热板最高温度250～300 ℃，支持可控保护/还原气氛，具备软压头，满足250 ℃级高温服役及长寿命功率循环互连工艺开发需求。

A02050909 金属焊接设备

本次采购真空甲酸还原回流焊接炉1套，主要用于芯片、衬板及大面积互连结构的甲酸还原无助焊剂真空回流焊接。真空度≤2 mbar，加热最高工作温度大于350 ℃，带有顶部加热及助焊剂回收，有效工作面积大于230 mm×280 mm，可降低焊接空洞和氧化残留，满足高压大功率模块低空洞、低氧化焊接工艺需求。

A02330300 电子工业生产设备

本次采购铝带键合机1套，主要用于碳化硅芯片、衬板及功率电极之间的大截面铝带超声键合。支持约2000 μm×250 μm厚铝带及不同线径铝线，定位精度±2～±3 μm，满足高压大功率模块大电流、低寄生参数功率互连工艺开发需求。铜带键合机1套，主要用于碳化硅芯片、衬板及功率电极之间的大截面铜带超声/热压键合。支持约2000 μm×250 μm级铜带及不同线径铜线，定位精度±2～±3 μm，具备较高导热、低电阻及高可靠互连能力，满足2000 A级大电流和长寿命模块功率互连需求。

A02050909 金属焊接设备

本次采购气相焊结炉1套，主要用于大热容量功率半导体组件、复杂结构及双面组件的高一致性气相焊接。采用惰性传热介质气相冷凝加热并支持真空除空洞，介质闭环回收率≥98%，焊层空洞率可实现1%以内，最高工作温度大于230℃，满足大面积、高一致性、低空洞互连需求。

A02330300 电子工业生产设备

本次采购贴片机1套，主要用于碳化硅芯片、电阻、铜片等封装物料的自动识别、拾取、对准和高精度贴装。对位精度±10～±15 μm，贴装压力0.1～50 N，兼容6英寸、8英寸晶圆及华夫盘，满足多芯片大功率模块高一致性自动贴装需求。

A02330300 电子工业生产设备

本次采购环氧灌封系统1套，主要用于硅凝胶、高耐温、高绝缘双组份环氧材料的精密配比、真空脱泡、定量灌封及固化。体积配比精度±1.0%，真空度≤1.0 mbar，兼容高粘度及高填料材料，固化温度覆盖常温至250 ℃，满足高温高压碳化硅模块整体绝缘密封需求。

A02330300 电子工业生产设备

本次采购插针键合机1套，主要用于功率模块中垂直铜插针与衬板焊盘或端子之间的自动化超声键合连接。支持圆形、方形及长方形插针，空间定位精度±2.5～±3.5 μm，键合压力100～3500 g，具备铜屑吹扫功能，满足高密度、低电阻、无焊料垂直互连需求。

A02050909 金属焊接设备

本次采购端子键合机1套，主要用于高压大功率碳化硅模块大截面铜功率端子与DBC/AMB衬板及铜排之间的超声键合。支持约1～2 mm厚铜端子，超声功率≥3 kW，频率40～100 kHz，键合压力150～1000 N可调，实现低电阻、无焊料、高可靠端子连接，满足2000 A级功率回路互连需求。

A02330300电子工业生产设备

本次采购去胶清洗机1套，作用是使用有机化学药液浸泡或喷淋溶解去除碳化硅使用的正性光刻胶，有选择性地去除表面有机物及金属剥离残留物，且不损伤下方金属层及介质层。金属后清洗机1套，作业范围覆盖多晶硅、氮化硅及氧化膜腐蚀、去除尘埃、有机颗粒、金属离子的清洗机器，满足碳化硅作业过程中维持后道工艺晶圆表面对清洁度的要求。单片背面腐蚀机1套，腐蚀去除晶圆背面二氧化硅和多晶硅复合层专用的关键设备，确保背面溅射洁净表面形成良好的金半接触。三个工艺腔,用于BOE和硅腐蚀液工艺交替使用。

A02330300电子工业生产设备

本次采购立式原位掺杂低压化学气相淀积设备1套，是低压条件下通过气相化学反应在碳化硅表面沉积掺杂多晶硅的设备，在薄膜生长过程中沉积与掺杂同步完成。要求多晶工艺过程中进行磷掺杂，膜厚范围覆盖50 nm-1200 nm，片内、片间、批间均匀性膜厚均匀性＜3%。

A02330300电子工业生产设备

本次采购碳化硅刻蚀机1套，主要用于碳化硅材质的深沟槽刻蚀，能够大范围地调节刻蚀速率和降低刻蚀损伤以及精确控制刻蚀深度和刻蚀重复性，片内均匀性和片间均匀性均≤3%，侧壁角度＞88°，刻蚀深宽比＞7：1。

A02330300电子工业生产设备

本次采购的镍钯金电镀台1套，主要用于在碳化硅衬底上依次沉积镍层、钯层和金层的多层表面处理工艺。能够同时满足焊接、金线键合、铝线键合、铜线键合及接触应用等多重需求。配备三个可循环过滤加热电镀工艺腔，三个水洗腔，电镀液有可回收功能。

A02330300电子工业生产设备

本次采购金属刻蚀机1套，主要用于碳化硅基材，作为金属互联层图形化转移的关键设备，有选择性地去除钛铝金属层,确保金属层去除精度与侧壁形貌满足高密度元器件对尺寸控制及可靠性的严格要求。金属刻蚀机1套，用于8英寸碳化硅金属互联层刻蚀，需配备4个工艺腔，能够刻蚀 Al、AlN、Ti、TiN、满足片内均匀性和片间均匀性工艺需求。

A02330300电子工业生产设备

本次采购原子层沉积设备1套，其是一种以单原子膜形式逐层堆叠的薄膜沉积设备，能够生长碳化硅用的高介电常数栅极介质层，精度达亚纳米级的薄膜，沉积薄膜种类包括二氧化硅、三氧化二铝、氧化铪等高k介质。适用于高深宽比微结构，同时满足台阶覆盖率≥95%，前驱体系统应具备单独加热源瓶，可供应前驱体不少于6种。

A02330300电子工业生产设备

本次采购钨化学气相沉积设备1套，主要用于碳化硅接触孔的金属化填充钨塞工艺，形成低电阻的钨栓塞，具有优异的台阶覆盖能力，可填充高深宽比的结构，台阶覆盖率≥95%，满足片内均匀性和片间均匀性均≤3%。

A02330300电子工业生产设备

本次采购金属溅射台1套，通过磁控溅射技术在碳化硅表面沉积铝及铝合金薄膜，用于碳化硅的厚铝工艺、背金工艺、热铝填孔槽工艺。在沉积过程中能够对晶圆衬底进行加热，实现RT-400℃的控温范围，配备四个工艺腔，能够沉积Ti/Ni/TiN/厚Al四种金属，同时配备理平边、degas、softetch辅助腔体，工艺腔极限真空度应优于5E-08Torr。

A02330300电子工业生产设备

本次采购高温氢退火设备1套，高温纯氢或氢/氩混合气氛下对碳化硅深槽进行热处理，将尖锐的沟槽底部与顶部角部圆化使沟槽表面进行原子级平整。工艺温度：1500-1900℃，温控精度±0.5℃，工艺气体配备氮气、氩气、氢气等。

A02330300电子工业生产设备

本次采购钨膜平坦化系统设备1套，对碳化硅填充的钨金属层进行平坦化处理，能精确控制钨的残留厚度，满足纳米级器件的严苛要求，形成高质量的钨插塞，实现钨塞的电气隔离。

A02100610 电子可靠性试验设备

本次采购碳化硅直流功率循环试验系统1台，用于模拟碳化硅器件在实际工况中的功率循环热应力状态，评估器件在反复功率冲击下的焊料层疲劳、键合线脱落、芯片裂纹等封装可靠性问题。支持包括恒定结温差、恒定壳温差、恒定功率差以及恒定电流等模式，电流设置范围为0-2kA。