中国科学院合肥物质科学研究院2026年9至12月政府采购意向

C01031300电子、通信与自动控制技术研究服务

电流范围：1A~10kA 波形类型：正弦、三角波 测试频率范围：0.1-200Hz 被测电感范围；mH级至H级

A02061599其他电源设备

输出电压 0-10V 输出电流 0-50000A 接线方式 三相三线+地线，380V±15% 频率 50Hz/60Hz 电流变化率 0.1A/s-10A/s 可设 电流输出精度 10kA-50kA 电流精度为 0.1%，10kA 以下电流精度为 1% 通信接口 RS-485&RS-232

C18049900其他保险服务

单一项目职业责任险 (SPPI) 工程项目第三者责任险 (TPL/CGL)

A02061712控制设备

末端转接器末端负载不小于1000kg，包含MEA与CMOR的连接件，MEA整机结构、线材、拖链、驱动、控制元器件、紧固件等所有零部件的总质量要求小于600 kg。 末端转接器的末端重复定位精度达到±0.2mm。 末端转接器应能实现工具和内部部件在真空室内部的运输和定位功能。 末端转接器应具备足够的运动关节使其能够完成真空室内部工具或内部部件在维护过程中的运输及定位。 末端转接器应能从单个遥操作维护中窗口至接近内部部件（如包层、偏滤器）内表面区域，维护空间≥45°。 末端转接器应能在真空室内与输运臂系统配合完成执行器、内部部件的抓取和放置。 末端转接器末端应有一个适用于末端执行器的标准接口。该接口应能在没有任何辅助设备的情况下通过远程电动操作实现末端执行器的接触和脱离，并具备故障保护措施避免负载掉落。

A02190600核聚变试验装置

线圈依次堆叠后的线圈上/下表面平面度小于2mm、上/下表面平行度小于3 mm、线圈内/外轮廓度小于3mm、线圈高度公差小于±2mm、氦管及接头的位置度小于7mm，并提供激光跟踪仪测量报告 堆叠过程中所有子单元之间同轴度要求在2mm以内，线圈各特征线位置度控制在2mm以内 根据线圈高度尺寸要求，需要进行饼间绝缘填充，饼间绝缘是指放置在相邻两饼之间的绝缘，用于补偿绕制公差和增加树脂浸渍通道。饼间绝缘由3层厚度为0.55mm的玻璃丝布铺设而成。玻璃丝布的厚度可根据实际工况调整

A02190600核聚变试验装置

所有接头盒体盒盖的成品，包括TU1+316L原材料采购、爆炸复合、无损检测、盒体盒盖加工、无损检测

A02190600核聚变试验装置

室温真空度 室温≤1.0x10-3 Pa； 低温真空度 室温≤1.0x10-4 Pa； 搭接接头绝缘DC/PD （20kV&8kV/500MΩ ）/（10kV&3kV/10nC） 整体漏率 <1.0x10-7 Pa.m3/s 焊接和尺寸验收标准 焊接参考ISO5817B级、尺寸参考ISO13920M /2768 M

A02190600核聚变试验装置

BUSBAR数量 8根Busbar /~170m 10根 Busbar/~210m 8根Busbar /~150m 整体漏率 <1.0*10-7 Pa.m3/s 焊接及尺寸 焊接参考ISO5817B级、尺寸参考ISO13920 /2768 接头盒位置度 所有接头盒位置度＜5mm

A02100301显微镜

加速电压 0.02-30 Kv 探针束流 3 pA-40 nA 分辨率 0.5 nm @15 kV, 1 nm @1 kV/500 V TD, 1.5 nm @200 V, 0.6 nm @30 kV (STEM) 分析分辨率 2.0 nm @ 15 kV, 5 nA, WD = 8.5 mm Inlens BSE分辨率 1.2 nm @1 kV NanoVP模式分辨率（30 Pa） 1.4 nm @3 kV，1.0 nm @15 kV 高分辨率模式最大观察视野 在5 kV下5 mm，WD = 8.5 mm 概览模式最大观察视野 在15 kV下5.6 mm, WD = 8.5 mm, 130 mm, 最大WD（约50mm） 放大倍率 8-2000000

A02100301显微镜

无球差校正器 0.2 – 0.3 eV 100 pm 136 pm 聚光镜球差校正器 0.2 – 0.3 eV 100 pm 50 pm X-FEG/Mono双球差校正器 0.2 – 0.3 eV 60 pm 50 pm（束流≥30 pA） 125 pm @ 30kV X-FEG/UltiMono双球差校正器 0.025 eV 60 pm 50 pm（束流≥30 pA） 125 pm @ 30kV X-CFEG双球差校正器 0.3 eV 70 pm 50 pm（束流≥100 pA） 136 pm @ 30kV

A02100301显微镜

电子束分辨率 At optimum WD: 0.6 nm @ 15 kV, 0.7 nm @ 1 kV, 1.0 nm @ 500 V(ICD); At coincident point: 0.6 nm @ 15 kV, 1.2 nm @ 1 kV 离子束分辨率 2.5 nm @ 30 kV, 323.7 nm @ 500 V TOF-SIMS分辨率 质量分辨M/ΔM FWHM > 700；检测质量范围（Th）：1-500；横向空间分辨率：50 nm；深度分辨率：10 nm；检测限：ppm EDS分辨率 Mn Kα优于127 eV，F Kα优于64 eV，C Kα优于56 eV 电子枪类型 肖特基（ZrO/W）场发射灯丝，束流范围1.6 pA~100 nA 电子束放大倍数 74~3457649 电子束加速电压范围 350 V~30 kV 最大FWD 2.3 mm @ 4mm WD 离子枪类型 液态Ga离子源，离子束束流范围1 pA~65 nA

A02190600核聚变试验装置

实验段高度不低于1.8m；实验段宽度不小于4m；实验段总长不小于12m；收缩段及发展段不大于6m，并且收缩比满足维多辛斯基曲线。 空间缩比尺度覆盖1:200~1:2000；具备演示并验证释放点周边5km环境的氚大气扩散、干湿沉降、土壤迁移转化、水体扩散沉积、水气界面转移、水生态微环境迁移转化等过程。 模拟风速可达0-10m/s、分辨率0.2m/s；可实现不同强度降水过程模拟；土壤蒸发率最高达0.35mm/h。

A02190600核聚变试验装置

水压测试：单个零件进行7.6MPa静态水压测试，保压60分钟后压降不超过0.1MPa/h，且没有可见的永久变形。 泄漏测试：冷氦（工件常温）：漏率优于1x10-10Pa·m3/s。

A02190600核聚变试验装置

室温下相对磁导率应等于或小于1.03。 枪钻：采用认证的枪钻工艺加工，孔的直线度、位置度、内表面光洁度、毛刺以及枪钻油等应符合采购技术规范要求。